常年法律顧問:邱德哉律師 18181737888
成果發(fā)布
Technology
項目概述:
依托碳化硅材料高擊穿場強(qiáng)、 高飽和速度、 高熱導(dǎo)率等特性優(yōu)勢, 本產(chǎn)品具備離耐壓、 低滿電和辰向快恢復(fù)等顯著特征。 嚴(yán)品采用SMA小尺寸貼片封裝, 可滿足4kV等級高壓系統(tǒng)對低損輯、 高效率和高工作結(jié)渲二極營的應(yīng)用自需求。
主要應(yīng)用場景:
碳化硅(SiC) PiN二極管是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高溫、 高壓、 高頻、 高能效及高可靠性的電力電子設(shè)備中。 相對于同等尺度的硅基二極管, SiC PiN二極管具有更低的開關(guān)損耗。更高的開關(guān)速度、 更高的擊穿電壓、 更高的溫度容限、 更高的電流承受能力, 以及更好的抗輻射和干擾電磁平擾等特點。
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2015-08-26
2015-08-26
2015-08-24
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